franceză
Ce travail de thčse s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS ŕ ces dimensions ultimes. Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inférieures ŕ 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appelées rugosité de bord, entraînent des fluctuations électriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures générations de dispositifs. Il convient donc de contrôler ce paramčtre afin de le réduire. Pour réussir ce défi technologique, il est essentiel de le mesurer avec précision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son évolution aprčs chaque étape technologique de fabrication. Dans ce travail de thčse, nous nous sommes intéressés ŕ la mesure la rugosité de bord, ŕ l'aide d'un nouvel équipement de métrologie: le microscope ŕ force atomique en trois dimensions. Nous avons évalué les capacités de cet outil et déterminé un protocole de mesure de la rugosité de bord, qui nous a permis ensuite d'étudier ses origines et d'étudier son évolution lors des différentes étapes technologiques de fabrication d'une grille de transistors MOS.
