Etude experimentale des degradations des transistors N-MOS

Name: Etude experimentale des degradations des transistors N-MOS
Brand: Éditions universitaires européennes
SKU: 9783659558047
Price: 416.33 RON
Availability: InStock

Autor: Yazid Derouiche

Limbă:

Legare: Carte broșată

Editura: Éditions universitaires européennes

Disponibilitate: În depozitul extern

Expediem în 5-8 zile

416.33 lei

Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importan...

Informații despre carte

Autor

Yazid Derouiche

Limbă

franceză

Legare

Carte - Carte broșată

Publicat

2019

Pagini

160

EAN

9783659558047

Enbook ID

21390576

Editura

Éditions universitaires européennes

Greutate

245

Dimensiuni

152 x 229 x 9

Descriere completă

Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil DeltaVth, de la tension de bandes plates DeltaVfb, de la densité des états d'interface moyenne Delta Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Deltas ;s = sn.s p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2mim a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.

S-ar putea să te intereseze

Clienții care au cumpărat această carte au mai cumpărat și

Cele mai căutate

Categories

Authors

Publishers

Produse

Produse

Cele mai căutate

Categories

Authors

Publishers

Produse

Produse

Etude experimentale des degradations des transistors N-MOS

Informații despre carte

Descriere completă

S-ar putea să te intereseze

Clienții care au cumpărat această carte au mai cumpărat și