Carte Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Limbă: engleză
Legare: Carte broșată
Disponibilitate: În depozitul extern
Expediem în 14-21 zile
339.65 lei
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Informații despre carte

Limbă
engleză
Legare
Carte - Carte broșată
Publicat
2019
Pagini
206
EAN
9780530008127
ISBN
0530008122
Enbook ID
22569085
Greutate
490
Dimensiuni
216 x 279 x 11

Descriere completă

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

S-ar putea să te intereseze

414.85 lei

Conflict

David Petraeus
56.77 lei

Whale Fishery of New England

State Street Trust Company
93.91 lei
276.12 lei

Womb of Uncreated Night

Antonides Chris Antonides
171.93 lei
43.78 lei

Clienții care au cumpărat această carte au mai cumpărat și

129.35 lei
62.20 lei
63.11 lei

Programmare

Miller Daniel E. Miller
96.03 lei
158.95 lei