franceză
Dans ce mémoire de thčse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomčnes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modčle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Une attention particuličre a été accordée ŕ l'étude des phénomčnes parasites qui pourraient survenir de maničre trčs localisée suite ŕ une répartition inhomogčne de la température et ŕ l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modčle pour les régimes extręmes ont été utilisés en prenant des précautions liées ŕ la haute température. Enfin, Le modčle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société Epsilon ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.
