Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices

Autor: 
Limba: 
english
Tip copertă: 
Greu
Număr de pagini: 
255
Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapt ...Descriere completă
1.089,20 RON

Informații detaliate

Mai multe informatii
ISBN9783031171987
AutorChaudhuri Reet
EdituraSpringer Nature
Limbaenglish
Tip copertăPevná vazba
Anul publicării2022
Număr de pagini255

Descrierea cărții

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.

 

  1. velký výběr

    O SELECȚIE URIAȘĂ

    Peste 4 milioane de cărți în engleză la prețuri avantajoase.

  2. poštovné zdarma

    LIVRARE GRATUITĂ

    Livrare gratuită la comenzi de peste 300 Lei (Packeta.ro)

  3. skvělé ceny

    PREȚURI AVANTAJOASE

    Încercăm să păstrăm prețurile cărților cât mai mici și întotdeauna sub prețul recomandat de editură.

  4. online podpora

    PROGRAMUL MAGAZIN DE ÎNCREDERE

    Magazinul nostru a devenit un “Magazin de încredere“ pe baza recenziilor oferite de către clienții noștri reali.

  5. osobní přístup

    ABORDARE PERSONALĂ

    Cel mai important pentru noi este satisfacția Dvs. Vindem cărți deoarece le iubim. Nu suntem giganți transnaționali, ci o companie onestă din Republica Cehă. În plus, cele mai bune cărți au recenzii în blogul nostru.