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Mosfet Models for Spice Simulation: Including Bsim3v3 and Bsim4
Limba:
Tip copertă:
Greu
Număr de pagini:
600
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abh ngig ist. BSIM3 (BSIM ste ...Descriere completă
1.190,80 RON
Informații detaliate
| ISBN | 9780471396970 |
|---|---|
| Autor | Liu William |
| Editura | Wiley |
| Limba | english |
| Tip copertă | Pevná vazba |
| Anul publicării | 2001 |
| Număr de pagini | 600 |
Descrierea cărții
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abh ngig ist. BSIM3 (BSIM steht f r Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgew hlt. Es wird erwartet, da in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln.
Dieses Buch erl utert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen f r dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der f nf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
Dieses Buch erl utert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen f r dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der f nf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
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